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加熱手段
熱媒加熱
蒸気加熱
薄膜蒸留
単蒸留
温度範囲
300℃まで
160℃まで
0.2mmHgまで
数mmHgまで
装置容量
3.0t
2.0t
0.5t
4.5t
2.0t
0.7t
2.0t
0.5t
装置数量
1基
5基
1基
1基
2基
1基
1基
1基